Concept and technology for full monolithic MOSFET and JBS vertical integration in multi-terminal 4H-SiC power converters - INRAE - Institut national de recherche pour l’agriculture, l’alimentation et l’environnement
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Concept and technology for full monolithic MOSFET and JBS vertical integration in multi-terminal 4H-SiC power converters

Ralph Makhoul
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1145580
  • IdRef : 263161315
Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie
Nour Beydoun
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1266722
Lumière, nanomatériaux et nanotechnologies
Abdelhakim Bourennane
Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie
Institut Universitaire de Technologie - Paul Sabatier
Luong Viêt Phung
Ampère, Département Energie Electrique
Frédéric Richardeau
Convertisseurs Statiques
CV
Mihai Lazar
Lumière, nanomatériaux et nanotechnologies
CV
Philippe Godignon
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1266723
Centro Nacional de Microelectronica [Spain]
Dominique Planson
Ampère, Département Energie Electrique
CV
Hervé Morel
Ampère, Département Energie Electrique
CV
David Bourrier
Service Techniques et Équipements Appliqués à la Microélectronique

Domaines

Energie électrique Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Fichier principal
Vignette du fichier
icscrm_music_RM_nb_fr-hm_dp.pdf (1005.75 Ko) Télécharger le fichier
Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
Licence
Paternité

Frédéric Richardeau  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04221605

Soumis le : jeudi 28 septembre 2023-16:10:14

Dernière modification le : mardi 24 septembre 2024-03:24:15

Archivage à long terme le : vendredi 29 décembre 2023-19:29:23

Télécharger pour visualiser

Dates et versions

hal-04221605 , version 1 (28-09-2023)

Licence

Paternité

Identifiants

  • HAL Id : hal-04221605 , version 1

Citer

Ralph Makhoul, Nour Beydoun, Abdelhakim Bourennane, Luong Viêt Phung, Frédéric Richardeau, et al.. Concept and technology for full monolithic MOSFET and JBS vertical integration in multi-terminal 4H-SiC power converters. 20th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) - ICSCRM 2023, Naples University - Federico II, Sep 2023, Sorrento, Italy. ⟨hal-04221605⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

UNIV-TLSE2 CNRS UNIV-LYON1 INSA-LYON INSA-TOULOUSE EC-LYON LAAS AMPERE UT1-CAPITOLE LAAS-ISGE LAAS-TEAM LAAS-GESTION-DE-L-ENERGIE INSA-GROUPE UTT UDL LAPLACE LAPLACE_CS INRAE ANR UTT-FULL-TEXT TOULOUSE-INP UNIV-UT3 UT3-TOULOUSEINP RENATECH IUT_UT3
133 Consultations
129 Téléchargements

Partager

More