A low-power &#x03A3;&#x0394; ADC optimized for GSM/EDGE standard in 65-nm CMOS

Hussein Fakhoury; Chadi Jabbour; Hasham Khushk; van Tam Nguyen; Patrick Loumeau

doi:10.1109/ISCAS.2011.5937764

Communication Dans Un Congrès Année : 2011

A low-power ΣΔ ADC optimized for GSM/EDGE standard in 65-nm CMOS

(1) , , , ,

1

Hussein Fakhoury

Fonction : Auteur

Télécom Paris

Chadi Jabbour

Fonction : Auteur
PersonId : 177042
IdHAL : chadi-jabbour

CV

Hasham Khushk

Fonction : Auteur

van Tam Nguyen

Fonction : Auteur
PersonId : 1145998

Patrick Loumeau

Fonction : Auteur
PersonId : 1362888
IdRef : 078199026

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

Chadi Jabbour : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.inrae.fr/hal-03591868

Soumis le : lundi 28 février 2022-20:32:56

Dernière modification le : jeudi 14 mars 2024-03:05:08

Dates et versions

hal-03591868 , version 1 (28-02-2022)

Identifiants

HAL Id : hal-03591868 , version 1
DOI : 10.1109/ISCAS.2011.5937764

Citer

Hussein Fakhoury, Chadi Jabbour, Hasham Khushk, van Tam Nguyen, Patrick Loumeau. A low-power ΣΔ ADC optimized for GSM/EDGE standard in 65-nm CMOS. 2011 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), May 2011, Rio de Janeiro, France. pp.1109-1112, ⟨10.1109/ISCAS.2011.5937764⟩. ⟨hal-03591868⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

INSTITUT-TELECOM PARISTECH INRAE

10 Consultations

0 Téléchargements